防伪技术的提升关乎****和社会稳定，对于当今社会信息安全领域十分重要。光存储荧光材料由于其成本低、分辨率高和响应速度快等特点在防伪领域展现出巨大优势。然而，荧光材料防伪模式单一以及对激发波长要求较高等一系列问题，一定程度上限制了其实际应用。SrAl₂O₄∶Eu²⁺，Dy³⁺（SAO∶Eu²⁺，Dy³⁺）作为最成功的长余辉发光材料，在弱光照明、发光涂料和道路指示标牌等领域具有广泛的应用。其长余辉现象归因于载流子在室温下受热扰动释放的过程，且依赖于有效陷阱的数量和浓度。因此，在该材料中构建陷阱将有效拓展其光存储的相关性能，一直受到关注。本文通过在光存储荧光材料SAO∶Eu²⁺，Dy³⁺中引入Tm³⁺离子可以调控陷阱密度及结构，在减少浅陷阱密度的同时增加了深陷阱浓度，进而有效调控载流子在陷阱中的存储与释放过程。通过980 nm近红外激光诱导深陷阱释放载流子可再次被浅陷阱捕获，表现出明显的光激励长余辉发射。基于此，本工作探索了一种温度和时间维度的多模式防伪技术，实现二进制编码的读写。因此，本工作通过对SAO∶Eu²⁺，Dy³⁺的陷阱调控实现动态防伪和光学信息存储，可拓展该荧光材料在信息安全领域的应用。

采用高温固相法制备了双钙钛矿结构的Ba₂LuNbO₆∶xTb³⁺（x = 0.01，0.02，0.05，0.10，0.20）闪烁体材料，并系统地研究了其晶体结构、形貌和X射线激发的光学性能。研究表明，在X射线激发下，Ba₂LuNbO₆∶Tb³⁺的发射光谱主要由Tb³⁺的特征发射组成，其中最强发射峰位于545 nm处。X射线发射（RL）强度随Tb³⁺浓度的增加逐渐增大，当x= 0.1时发射强度达到最大值。此外，X射线辐照5 min后的热释光（TL）曲线显示该样品存在位于T₁（377 K）和T₂（460 K）的两个陷阱。其陷阱深度分别为0.754 eV和0.920 eV，这表明该材料具有潜在的X射线信息存储性能。因此，我们可通过加热或者980 nm激光二极管激发，有效诱导读出存储在深陷阱中的载流子，实现高亮度光激励发光（PSL）和热刺激发光（TSL）。基于此，由Ba₂LuNbO₆∶Tb³⁺与聚二甲基硅氧烷（PDMS）所制备的柔性闪烁体薄膜，在低X射线剂量辐照下表现出优异的X射线成像分辨率（12.5 lp/mm）以及延时成像特性。以上结果表明，所制备的Ba₂LuNbO₆∶0.1Tb³⁺在X射线探测和X射线信息存储方面具有潜在的应用前景。

上转换发光是一种将长波长的激发光转化为短波长发射的反斯托克斯发光现象, 三线态-三线态湮灭上转换(TTA-UC)能够在较低密度能量下被激发, 且上转换量子产率高, 因此获得研究者们广泛关注。 关于敏化剂分子结构与上转换发光性能相关性的研究一直是TTA-UC研究领域的重要热点, 选择两种代表性的卟啉钯光敏剂[PdOEP-八乙基卟啉钯(Ⅱ)和PdBrTPP-四溴苯基卟啉钯(Ⅱ)]与蒽衍生物9,10-(4-羟甲基)苯基蒽p-DHMPA发光剂组合上转换体系作为研究模型, 通过一系列合成工作获得材料分子后, 进一步比较两种敏化剂的光谱性质与体系最终上转换性能之间关系。 通过细致研究敏化剂和发光剂的荧光发射和寿命等光谱性质对敏化剂系间窜越, 三线态-三线态能量转移及三线态-三线态湮灭等能量传递过程的影响后, 发现在532 nm处的摩尔吸光系数PdBrTPP (10.8 cm^-1·mmol^-1)大于PdOEP (3.0 cm^-1·mmol^-1); 三线态寿命PdBrTPP (173.13 μs)大于PdOEP (109.21 μs)。 但与p-DHMPA配对时光敏剂与发光剂的三线态能级差ΔE_TT, PdOEP (0.140 eV)却高于PdBrTPP (0.062 eV), 通过Stern-Volmer方程得到Stern-Volmer猝灭常数K_SV和双分子猝灭常数k_q值也是PdOEP略高, 最终表现出上转换阈值PdOEP/p-DHMPA (22.40 mW·cm^-2)小于PdBrTPP/p-DHMPA (29.78 mW·cm^-2), 上转换发光效率Φ_UC, PdOEP/p-DHMPA (28.3%)大于PdBrTPP/p-DHMPA (26.8%)。 因此, 卟啉钯敏化剂的构效对三重态湮灭上转换发光效率影响最为重要的决定因素是敏化剂三线态高低。 对于不同的敏化剂, 在分子主体结构、 摩尔吸光系数与三线态寿命等光谱参数差别不大的情况下, 敏化剂的三线态能级越高, 就将会具有更大的上转换发光效率。 然而如果以总上转换能力指标来评价, PdBrTPP的共轭结构能够提升其在激发波长处吸收更多光子的能力, 具有比PdOEP更高的摩尔吸光系数, 造成其总上转换能力η比PdOEP高3.4倍。 因此从上转换总效能指标来评价, 通过敏化剂分子设计调控其在激发光波长处的摩尔吸光系数也不失为一种简单易行的方法。

A series of Ce3+, Sm3+-doped Zn2GeO4 phosphors are prepared by the solid-state reaction. A blue photoluminescence (PL) of Zn2GeO4 is observed as the recombination of the electrons trapped on VO and Zni with holes trapped on VGe and VZn′. The energy transfer process between Ce3+ and Sm3+ is confirmed by the PL spectra and decay curves, and the emission colors can be adjusted from blue to orange–red. Furthermore, we verify unambiguously that the energy transfer from Ce3+ to Sm3+ occurs. Besides, Ce3+160.0160 Materials 230.0230 Optical devices